CVD-二维类石墨烯产品>钨掺杂M1相VO2单晶薄膜
 
钨掺杂M1相VO2单晶薄膜
 
货号: 100085 规格: 1*1cm2/其他尺寸 价格: 询价
CAS号: 12036-21-4
编号: MK153
包装: 1片/包装
产品咨询     查看大图    
 

钨掺杂M1VO2单晶薄膜照片:

12f33ad6af631a3097fdadef99378d4.png


其他资料延伸:


目前常用的方法就是利用WNbTiCrAlMg等原子掺杂来降低其相变温度到室温附近,虽然通过上述掺杂能够有效的将VO2MIT临界相变温度大大降低,遗憾的是使得VO2原先所具有的陡峭的MIT和突变的光学特性减弱甚至是消失,有时候甚至会丧失了其作为功能材料的实际用途。

比较有代表性的就是W掺杂,它使得VO2MIT临界温度急剧变化【如图1(a)所示】,甚至能使转变温度调控到室温。W掺杂VO2MIT转变机理:根据W4d芯能级的光电子能谱,掺杂W的化学态仅为W6+价态,在满足系统的电中性的条件下,这就意味着一个W6+的掺杂相当于增加了两个V3+(3d2)离子,减少了一个V4+(3d1)离子,这将会导致V4+离子的半填充3d1电子构型崩溃。利用硬X-ray光电子能谱研究本征VO2W掺杂VO2的价带谱,可以发现W掺杂后VO2的临界转变温度的降低来自于有效库仑排斥能Ueff的调制作用【如图1(b)】所示),少量W掺杂使得载流子的增加显著地改变了有效库仑排斥能的强度,导致金属状态的稳定,降低了金属—绝缘体转变温度。

 

图片1.png

1. (a) VO2V1-xWxO2薄膜电阻率随温度的变化曲线,图中的小图显示了临界转变温度和W掺杂浓度的关系;(b)VO2MIT临界转变温度和有效的库仑相互作用的关系。

最近,H原子的掺杂为VO2MIT调控及其转变机理研究注入了新的活力,出现了很多新现象如:超顺磁性产生以及室温大磁电阻的出现,绝缘-金属-绝缘的三阶段连续相变。H掺杂为VO2的动态可逆调控相变提供了新的思路,并为其在基于质子型Mott电子学和新型储氢材料开辟了新的潜在应用领域。


关于大发888网页版手机版登陆   新闻中心   更多信息   合作企业
关于大发888网页版手机版登陆
大发888网页版手机版登陆愿景
大发888网页版手机版登陆石墨烯
应用领域
  大发888网页版手机版登陆新闻
产品新闻
行业动态
  法律申明
诚聘英才
 
版权所有 大发888网页版手机版登陆

服务时间:周一至周日 08:30 — 20:00  全国订购及服务热线:025-66171690
联系地址:南京市江宁区科学园芝兰路18号 南京模型公司