进口二维半导体单晶>碲化锆锗晶体ZrGeTe4
 
碲化锆锗晶体ZrGeTe4
 
货号: 100857 规格: ~4-5 mm 价格: 询价
CAS号:
编号: MK10857
包装: 标准包装,原包装进口
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样品名称

 进口碲化锆锗晶体

ZrGeTe4 

 性质半导体
 带隙
 参数 尺寸:~3-5mm, 纯度99.9995%
 应用 半导体电子器件,传感器-探测器,光学器件等研究
 其他性质

 详情请发邮件至mknano@126.com.

碲化锆锗晶体ZrGeTe4 




Product Description:

ZrGeTe4 crystal is a layered anisotropic semiconductor with the predicted bandgap of 0.4 eV. While it is layered and can be exfoliated down to few- and monolayers, their properties remain largely unknown. Our ZrGeTe4 vdW crystals are synthesized using flux zone growth technique at unparalleled 99.9999% confirmed purity rates. Crystals are cut in c-axis and thus are ready to exfoliate onto desired substrates. 


Summary of ZrGeTe4 vdW crystals



其他服务:



  公司客户可以提供晶体免费机械剥离和转移技术。

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