实验室常用衬底耗材>单晶碳化硅衬底 SiC
 
单晶碳化硅衬底SiC
 
货号: 100984 规格: 2英寸 价格: 询价
CAS号: 409-21-2
编号: MK1343
包装: 标准包装
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碳化硅衬底的应用

光电子领域

发光二极管(LED)是利用半导体中电子与空穴复合发光的一种电子元器件,是一种节能环保的冷光源。SiC材料具有与GaN晶格失配小、热导率高、器件尺寸小、抗静电能力强、可靠性高等优点是GaN系外延材料的理想衬底,由于其良好的热导率,解决了功率型GaN-LED器件的散热问题,特别适合制备大功率的半导体照明用LED,这样大大提高了出光效率,又能有效的降低能耗。

电力电子领域

SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高,击穿场强高,饱和电子漂移速率高,化学性能稳定,硬度高,抗磨损,高键和高能量以及抗辐射等优点,可广泛用于制造高温,高频,高功率,抗辐射,大功率和高密集集成电子器件,用SiC衬底开发的电力电子器件(SBDMOSFETIGBTBJTJFET等)用在输变电、风力发电、太阳能、混合动力汽车等电力电子领域,降低电力损失,减少发热量,高温工作,提高效率,增加可靠性。

碳化硅衬底参数信息:


碳化硅衬底照片:

4H-N碳化硅晶片:


6H-N碳化硅晶片:


6H-SI碳化硅晶片:


X射线摇摆曲线:



电阻率分布图谱


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