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纳米级超薄硒化铟:或是半导体的未来
发表时间:2017-05-25  点击:1220

 纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料,其厚度从一层(~0.83 nm)到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实验室进行的。近日乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂志上发表联合文章《高电子迁移率、量子霍尔效应和纳米级超薄硒化铟中的异常光学响应》,认为硒化铟的实际应用有可能导致纳米电子学的革命。
    石墨烯是由一层碳原子组成,与石墨烯不同,硒化铟是铟原子(In)和硒原子(Se)的二元化合物,厚度为四个原子,原子排列顺序为Se-In-In-Se。


    据低维材料在线91cailiao.cn的技术工程师Ronnie介绍,他们提供的硒化铟在室温下的电子迁移率达到2,000 cm2/Vs,远远超过了硅。在更低温度下,这项指标还会成倍増长。超薄的硒化铟,是处于硅和石墨烯之间的理想材料。在类似于石墨烯的低维材料里,硒化铟具有天然超薄的形态,使真正纳米级的工艺成为可能。又和硅类似,硒化铟是优秀的半导体。


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