纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料，其厚度从一层（~0.83 nm）到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实验室进行的。近日乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂志上发表联合文章《高电子迁移率、量子霍尔效应和纳米级超薄硒化铟中的异常光学响应》，认为硒化铟的实际应用有可能导致纳米电子学的革命。
    石墨烯是由一层碳原子组成，与石墨烯不同，硒化铟是铟原子（In）和硒原子（Se）的二元化合物，厚度为四个原子，原子排列顺序为Se-In-In-Se。

    据低维材料在线91cailiao.cn的技术工程师Ronnie介绍，他们提供的硒化铟在室温下的电子迁移率达到2,000 cm2/Vs，远远超过了硅。在更低温度下，这项指标还会成倍増长。超薄的硒化铟，是处于硅和石墨烯之间的理想材料。在类似于石墨烯的低维材料里，硒化铟具有天然超薄的形态，使真正纳米级的工艺成为可能。又和硅类似，硒化铟是优秀的半导体。